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La cristallisation de silicium amorphe en couches minces - In : En direct (152 du 01/06/2001)
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La cristallisation de silicium amorphe en couches minces - In : En direct (152 du 01/06/2001)

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Résumé : La faisabilité de la technique de la cristallisation induite par l'aluminium (CIA) est démontrée par une étude réalisée par l'Institut de microtechnique de l'université de Neuchâtel en collaboration avec l'université New South Wales de Sydney (Australie).
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Pagination :
pp.2
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In : En direct (152 du 01/06/2001)
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Exemplaires : La cristallisation de silicium amorphe en couches minces - In : En direct (152 du 01/06/2001)
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La cristallisation de silicium amorphe en couches minces - In : En direct (152 du 01/06/2001) PresseSur place (magasin)Musée du TempsRéserve Musée du TempsPER034En rayon

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